在自主研发的同时，公司加强与企业、大学及科研院所的合作，大力开发具有自主知识产权的关键技术，形成自主的核心技术和专有技术，加快科技成果产业化步伐。公司与西安电子科技大学等知名院校建立产学研合作关系，掌握了一批具有自主知识产权的核心技术，有力地保证了公司研发活动顺利开展,为实现半导体系列产品技术领先战略提供了技术储备和支撑。

 

系统示意图

 

1、1.5KW    PFC+LLC(谐振半桥
由于功率较小，采用单管PFC+半桥即可满足应用，而且电路简单，元件少。MOS一般选用20-50A，600V，650V的MOS。

2、3.3KW    无桥PFC+谐振全桥       
无桥PFC需要2pcs MOS和2pcs 整流管，不需输入整流桥，因些没有输入整流的损耗。但EMI较难处理。谐振全桥需4pcs的MOS，驱动电路复杂，适合于功率较大的场合。

3、6~15KW     维也纳三相PFC+三电平谐振全桥                                           
电路非常复杂，需专门的驱动，控制电路。优点是MOS可以采用600，650V的，便于采购。由于采用多个MOS，热量均分，散热会较好处理。